SJT106301995电子元器件制造防静电技术要求标准新解

SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静 电技术要求》标准新解杨铭季新月何积浩贾增祥高志良北京东方计量测试研究所北京第二十中学中国空间技术研究院通信卫星事业部摘要：标准SJ/T 10630-

SJ/T10630-1995 《电子元器件制造防静 电技术要求》标准新解 杨铭季新月何积浩贾增祥高志良 北京东方计量测试研究所北京第二十中学中国空 间技术研究院通信卫星事业部 摘要： 标准《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规范了静电放电敏感 SJ/T10630-1995 电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。本文对标准中提及 SJ/T10630 的结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析，并重点结合国际前沿的 M0SAl 异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性，对标准进 GaN/GaNSJ/T10630 行了新的解读与分析，建议尽快修订标准以适应越来越高的电子元器件静 SJ/T10630, 电敏感度。 关键词： 电子元器件静电防护静电敏感度 ;;; SJ/T10630; 作者简介： 杨铭，博士，工程师，主要研究方向为静电防护技术、微电子器件工艺技术 等。 作者简介：高 志良，硕士，高级工程师，国家一级注册计量师，主要研究方向为电磁学 计量、静电防护技术与管理。 InterpretationofSJ/T10630-1995, Antistaticrequirementsfor manufacturingelectronicelement anddevice YANGMingJIXin-yueHEJi-haoJIAZeng-xiangGAO