InP与ZnSe基荧光量子点的合成及其在指纹显现中的应用的中期报告

InP与ZnSe基荧光量子点的合成及其在指纹显现中的应用的中期报告第一部分：研究背景和意义荧光量子点是一种在纳米尺度下具有特定发光性质的半导体材料，有着广泛的应用前景。荧光量子点的尺寸通常在2-10纳

InPZnSe 与基荧光量子点的合成及其在指纹显现中 的应用的中期报告 第一部分：研究背景和意义 荧光量子点是一种在纳米尺度下具有特定发光性质的半导体材料， 2-10 有着广泛的应用前景。荧光量子点的尺寸通常在纳米之间，其发光 波长可以通过调节其尺寸实现。荧光量子点有着较高的发光量子产率、 较窄的发光带宽和抗光腐蚀性等优点，因此成为了生物技术、光电子 学、光催化、光电探测等领域中研究的热点。 指纹是一种个人辨识的生物学特征，被广泛应用于刑事侦查、身份 认证等领域。指纹的显现是指将隐藏在指纹表面的细微特征可视化，以 便于进行研究和识别。传统的指纹显现方法包括粉末法、化学反应法、 光学显现法等，这些方法存在着操作繁琐、显现效率低等问题。 因此，开发新的指纹显现方法成为了现代刑事侦查领域的热点之 一。荧光量子点具有优异的荧光性能，可用于指纹显现，增强指纹对比 度、提高检测灵敏度等，因此在指纹显现中的应用具有广阔的前景。 第二部分：研究进展和计划 已有一些研究报道了基于荧光量子点的指纹显现方法。例如， Huang2017CdSe/ZnS 等人（）报道了一种基于荧光量子点的指纹显现 365nm 方法，通过将荧光量子点溶于甲醇中，喷洒于指纹样本上，使用 紫外线灯照射后，可以得到清晰的指纹图像。 InPZnSe 在本研究中，将研究基于和材料的荧光量子点的合成方 法，并探究其在指纹显现中的应用。具体计划如下： 1. InPZnSe 合成和荧光量子点，优化材料的结构和荧光性能。 2. 对比不同表面修饰的荧光量子点在指纹显现中的性能。