集成电路工艺期末考试试卷C
科目硅集成电路工艺考试性质考试命题人金蕾审批金誉.离子注入时,使晶体主轴方向偏离注入方向是为了避免 0A.横向效应 B.沟道效应 C.热电子效应.显影时, 胶的非曝光区在显影液中溶解。A.正 B.负
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