单溶剂体系中CdSe纳米晶体的形貌调控研究

单溶剂体系中CdSe纳米晶体的形貌调控研究导言随着纳米科技的发展，纳米晶体作为一种重要的纳米材料，因其在能带结构、量子效应等方面的独特性质而备受关注。在纳米晶体合成过程中，形貌调控是影响其性能和应用的

CdSe 单溶剂体系中纳米晶体的形貌调控研究 导言 随着纳米科技的发展，纳米晶体作为一种重要的纳米材料，因其在 能带结构、量子效应等方面的独特性质而备受关注。在纳米晶体合成过 程中，形貌调控是影响其性能和应用的重要因素之一。单溶剂体系中， 通过控制反应条件和添加表面修饰剂等手段可以实现对纳米晶体形貌的 调控。本研究旨在研究单溶剂体系中CdSe纳米晶体的形貌调控，探究 不同反应条件对其形貌的影响，并对其在光电器件中的应用前景进行分 析。 实验方法 实验采用单溶剂热法合成CdSe纳米晶体，反应条件如下： 1.反应溶液：CdO和SeO2分别在正己醇中溶解，体积比例为 1:1，添加适量十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为表面修饰剂。 2.反应温度：反应温度分别为120℃、150℃和180℃。 3.反应时间：反应时间分别为2小时、4小时和6小时。 4.沉淀分离：通过离心技术将CdSe纳米晶体与反应溶液分离，用去 离子水和有机溶剂反复洗涤，最后干燥得到CdSe纳米晶体。 实验结果与分析 采用透射电镜（TEM）和场发射扫描电镜（FESEM）对CdSe纳米 晶体进行形貌表征。实验结果如下： 反应温度为120℃时，CdSe纳米晶体形貌呈球形，直径约为10 nm，表明在较低温度下反应速率较慢，不易形成不规则形状的CdSe纳 米晶体。