基于子带跃迁的GaN基多量子阱材料与器件性质的研究的任务书

基于子带跃迁的GaN基多量子阱材料与器件性质的研究的任务书一、研究背景氮化镓（GaN）基多量子阱（MQW）材料和器件因其高电子迁移率、大带隙、高热稳定性及较高的光电性能等特点，被广泛应用于高功率电子器