0.18μm集成电路后段制程金属缺陷检测的的研究

摘 要目前 o.18um 制 程 技 术 己经十 分 成 熟 ，因此 缺 陷就 成 为影 响其 良率 的主 要 因素 。对 于 采 用 0 .18um 技术 的逻辑 电路 产 品 ，其 后 段 制 程