开关电源技术的十大关注点[小编]

开关电源技术的十大关注点[小编整理]第一篇：开关电源技术的十大关注点www.xiexiebang.com电源一直是电子行业里非常热门的技术，而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题，不然一不留神就会跟

开关电源技术的十大关注点[小编整理] 第一篇：开关电源技术的十大关注点www.xiexiebang.com 电源一直是电子行业里非常热门的技术，而它的发展趋势又是大 家必须时刻关注的问题，不然一不留神就会跟不上技术发展的步伐。 电子元件技术做了项开关电源技术发展关注焦点调查，得出来以下十 个热门关注点。 关注点一：功率半导体器件性能 1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结” （super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。工作电压600v～ 800v，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点， 是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。 igbt刚出现时，电压、电流额定值只有600v、25a。很长一段时 间内，耐压水平限于1200v～1700v，经过长时间的探索研究和改进， 现在igbt的电压、电流额定值已分别达到3300v/1200a和 4500v/1800a，高压igbt单片耐压已达到6500v，一般igbt的工作频 率上限为20khz～40khz，基于穿通（pt）型结构应用新技术制造的 igbt，可工作于150khz（硬开关）和300khz（软开关）。 igbt的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者 的折中。随着工艺和结构形式的不同，igbt在20年历史发展进程中， 有以下几种类型：穿通（pt）型、非穿通（npt）型、软穿通（spt） 型、沟漕型和电场截止（fs）型。 碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带 宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能 好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率 第1 页共 26 页