碳化硅加工工艺流程

碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的开展史：1893年 艾奇逊 发表了第一个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互

碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的开展史： 1893年 艾奇逊 发表了第一个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的 工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和 碳的混合物，使之相互反响，从而生成碳化硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布 研制成功绿碳化硅。 我国的碳化硅于1949年6月由 赵广和 研制成功，1951年6月，第一台制 造碳化硅的工业炉在第一砂轮厂建成，从此完毕了中国不能生产碳化硅的历史， 到1952年8月，第一砂轮厂又试制成功了绿碳化硅。 随着国民经济的开展，我国又相继开展了避雷器用碳化硅、立方碳化硅、铈 碳化硅及非磨料碳化硅。到1969年第一砂轮厂、第二砂轮厂建成4000KW、 3000KW的活动式电阻炉，显著提高了机械化程度，大大改善了作业环境。1980年 第一砂轮厂建造了我国第一台特大型电阻炉—8000KW；就我们一车间7750KW的冶 炼炉在当时也算特大型电阻炉，到现在30000KW的电阻炉已不算稀奇，所以说碳 化硅的开展速度是相当快的。 二、碳化硅的分类：〔黑碳化硅、绿碳化硅〕 通常按碳化硅的含量进展分类，含量越高、纯度越高、它的物理性能越好。 一般来讲：含量在95%——98%为一级品，含量在98%以上的为特级品、含量在 80%——94%为二级品、含量在70%左右为三级品，碳化硅的含量及纯度越高其价 值也就越大。 化学成份：主要杂质有：游离硅〔F.Si〕，它一局部溶解在碳化硅晶体中， 一局部与其它金属杂质〔铁、铝、钙〕呈金属状态存在。 游离二氧化硅〔F.SiO2〕通常存在于晶体外表，大都是由于冶炼碳化硅电阻 炉冷却过程中，碳化硅氧化而形成。正常的情况下，绿碳化硅结晶块外表的游离 硅，二氧化硅的含量为0.6%左右，当配料中二氧化硅过量时，二氧化硅会蒸发凝 聚在碳化硅晶体外表上，呈白色绒毛状。