MOS管器件击穿机理分析

MOS管器件击穿机理分析1 MOS管发生雪崩击穿时场强分布MOS管击穿发生时场强分布如图1所示，如果没有栅，则PN结的最大场强出现在结中间Ei，由于多晶栅的存在，则在A点又出现一个场强峰值Ed，因为