半导体导带位置(ECB)计算

怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置（ECB，Vs NHE）经验公式：ECB=X - Ec - Eg/2EVB=ECB+Eg其中，Ec是相对于标准H电极的一个常数，Ec=4.5eV；Eg是半导体

（ECB，VsNHE） 怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置 经验公式： ECB=X-Ec-Eg/2 EVB=ECB+Eg 其中， EcHEc=4.5eV 是相对于标准电极的一个常数，； Eg 是半导体的禁带宽度（以实际测量结果为主）； X 是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。 计算实例如下： ZnOEg=3.2eVX(Zn)=4.45X(O)=7.54 对，，通过后面的附表可查得，，， X==5.79EVB=-0.31+3.2=2.89eV; 所以，所以，， Fe2O3Eg=2.2eVX==5.88eV 再如对，，， EVB=0.28+2.2=2.48eV. 所以，， 与文献给出的数据几乎完全一致，读者可自行验算其他物质。 原子绝对电负性附表如下：