数字集成电路设计-笔记归纳

第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应：1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS管，PMOS速度饱和效应不显著。主要原因是太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（），即