静压对Ⅲ-Ⅴ族量子阱共振隧穿的影响的综述报告

静压对Ⅲ-Ⅴ族量子阱共振隧穿的影响的综述报告Ⅲ-Ⅴ族量子阱是一种新型的半导体材料结构，具有很多优良的性质，例如高度可控的能带结构和优异的电学、光学性能等，因此在集成电路和光电器件方面有着广泛的应用前景