晶体管长期贮存寿命的研究中期报告

晶体管长期贮存寿命的研究中期报告尊敬的评委老师们，大家好！我是晶体管长期贮存寿命的研究小组的成员，今天我来为大家汇报我们的中期研究报告。首先，让我们回顾一下我们的研究背景。晶体管是一种广泛应用于电子产

晶体管长期贮存寿命的研究中期报告 尊敬的评委老师们，大家好！我是晶体管长期贮存寿命的研究小组 的成员，今天我来为大家汇报我们的中期研究报告。 首先，让我们回顾一下我们的研究背景。晶体管是一种广泛应用于 电子产品中的半导体器件，其寿命是晶体管质量评价的一个重要指标。 然而，在长期贮存过程中，晶体管可能会受到氧化、腐蚀等因素的影 响，导致其性能下降，甚至失效。因此，我们的研究主要目的是探究晶 体管长期贮存寿命的变化规律和机理，从而为晶体管质量控制和寿命预 测提供理论支持。 在研究过程中，我们采取了以下主要方法： 一、选取不同品牌、型号和代数的晶体管作为研究对象，测量其初 始性能参数，并分别放置于70℃、室温和-40℃的环境下，定期对其性 能参数进行测试和分析。 二、对晶体管的失效机理进行探究，分析氧化、腐蚀等因素对晶体 管性能的影响和作用机理。 三、根据实验结果，建立晶体管长期贮存寿命预测模型，探讨其应 用范围和可靠性。 经过半年的研究，我们取得了一些初步的结果： 一、晶体管在长期贮存过程中，性能参数有不同程度的变化，其中 在70℃环境下，晶体管失效速度较快，性能下降明显。 二、晶体管的失效机理主要是氧化和腐蚀，其中氧化是主要因素， 腐蚀对晶体管性能影响不明显。 三、我们已经初步建立了晶体管长期贮存寿命预测模型，其预测精 度较高，在应用方面具有一定参考价值。