2023年清华半导体物理器件集成电路考研真题
2023 年清华大学争论生入学考试半导体物理、器件及集成电路试题150 分,180 分钟〔请将答案写在答题纸上〕一、 图示比较 BJT 和MOSFET 饱和区,解释其产生物理机制二、 〔15 分〕列举
2023年清华半导体物理器件集成电路考研真题