硅超大规模集成电路工艺技术金属化

微电子工艺技术第八讲 单项工艺金属膜制备-蒸发、溅射、CVD和电镀钱 鹤清华大学微纳电子系CMOS器件旁的Plug布线层数和总长度：10层布线，最细线宽在45nm左右，而布线总长度可达到5公里量级；除