基于PL谱对GaN材料高密度激子发光机理的研究的开题报告
基于PL谱对GaN材料高密度激子发光机理的研究的开题报告1. 研究背景和意义氮化镓(GaN)是一种重要的宽能隙半导体材料,在高功率电子器件、蓝光LED、激光器、光电探测器等领域得到广泛应用。其中,激光
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