4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管研究的中期报告

4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管研究的中期报告这篇中期报告讨论了对4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管的研究进展。在该研究中，作者采用了基于放电等离子体刻蚀和湿法氧化的技术制备了双极晶体管的结构，利用