基于压划痕技术的SiC单晶片损伤机理研究

基于压划痕技术的SiC单晶片损伤机理研究基于压划痕技术的SiC单晶片损伤机理研究摘要：SiC（碳化硅）是一种优异的半导体材料，具有高温、高压、高频、高功率等特性，因此被广泛应用于电子、光电子、能源等领