非晶氧化铟基高迁移率薄膜晶体管的制备与性能研究的任务书

非晶氧化铟基高迁移率薄膜晶体管的制备与性能研究的任务书一、研究背景非晶氧化铟(a-InO)是一种新型半导体材料,具有优异的电学性能和化学稳定性,其迁移率高于传统氧化铟,因此很受研究者的关注。在面向下一

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