悬浮区熔法生长大直径单晶硅的数值模拟及其热场分析的开题报告

悬浮区熔法生长大直径单晶硅的数值模拟及其热场分析的开题报告编号：一、选题依据和研究意义单晶硅是制造半导体器件、光电器件的最主要原材料，其质量对于器件的性能和可靠性起着决定性的影响。目前，生产单晶硅的主