用于esd防护ggnmos建模和仿真

摘要 摘要 随着半导体工艺的不断进步，微电子器件的特征尺寸不断缩小，导致器件栅 氧化层厚度越来越薄，内部电路也更容易受到静电放电损害而失效，因此对ESD 保护电路性能的要求越来越高。为了更好地预测ES