近红外1.064μm亚纳米带宽干涉滤光片的制备和光谱稳定性研究

近红外1.064μm亚纳米带宽干涉滤光片的制备和光谱稳定性研究近红外1.064μm亚纳米带宽干涉滤光片的制备和光谱稳定性研究摘要：近年来，随着纳米技术的快速发展，亚纳米带宽干涉滤光片已经成为近红外应用

1.064μm 近红外亚纳米带宽干涉滤光片的制备和光 谱稳定性研究 近红外1.064μm亚纳米带宽干涉滤光片的制备和光谱稳定性研究 摘要： 近年来，随着纳米技术的快速发展，亚纳米带宽干涉滤光片已经成 为近红外应用中的重要元件之一。本文以1.064μm近红外波长为研究对 象，通过多步磁控溅射和离子束辅助沉积等技术，制备了具有亚纳米带 宽的干涉滤光片。并对滤光片的光谱稳定性进行了系统的研究。实验结 果表明，所制备的亚纳米带宽干涉滤光片具有较高的光谱稳定性和优秀 的光学性能，对相关领域的研究和应用具有重要意义。 关键词：亚纳米带宽，干涉滤光片，近红外，光谱稳定性 1.引言 近红外光学在光通信、医学、红外成像等领域具有广泛的应用和发 展前景。亚纳米带宽干涉滤光片是近红外光学器件中的重要元件，可以 在1.064μm附近实现带宽较窄的光谱滤波，有助于提高系统的信号传输 效率和图像质量。因此，研究近红外1.064μm亚纳米带宽干涉滤光片的 制备方法和光谱稳定性具有重要意义。 2.实验方法 2.1材料准备 本实验采用了高纯度的硅（Si）、铌（Nb）和二氧化硅（SiO2）等 材料。 2.2干涉滤光片制备 首先，利用多步磁控溅射技术在Si基片上制备高质量的SiO2反射 层。然后，在SiO2反射层上通过离子束辅助沉积技术依次沉积SiO2、