三维构架硅纳米线生长定位集成及其薄膜晶体管的制备的开题报告

三维构架硅纳米线生长定位集成及其薄膜晶体管的制备的开题报告一、选题背景和意义在半导体技术领域,三维构架硅材料的制备一直是一个研究热点。硅纳米线作为一种三维结构的材料,具有很多优异的性质,例如高比表面积

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