2章习题答案

2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。（A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置）2. NP

2 半导体三极管 自我检测题 一．选择和填空 1. _A__B_ 三极管工作在放大区时，发射结为，集电结为，工作在饱和区时，发射结为 _A__A_ ，集电结为。 ABC （．正向偏置，．反向偏置，．零偏置） 2. NPNPNPD 和型三极管的区别取决于。 ABCDP （．半导体材料硅和锗的不同，．掺杂元素的不同，．掺杂浓度的不同，．区 N 和区的位置不同） IIII 3. ΔΔ 三极管的共射交流电流放大系数定义为变化量（或）与变化量（或）之 CCBB IIII ΔΔ 比，共基交流电流放大系数定义为变化量（或）与变化量（或）之比。已知某 CCEE 0.9999 三极管的＝，那么该管的。 II 4. ___ 三极管的是指发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流；是指 CBOCEO _____ 基极开路时，集电极与发射极之间的穿透电流。 5. A 随着温度升高，晶体管的穿透电流。 ABC （．增大，．减小，．不变） 6 ． ABABC 对于同一个三极管来说，；。（．小于，．大于，．等 于） VV 7. _A__1V 增加时，晶体管的共射极输入特性曲线，达到以后，输入特性曲线 CECE _C___ 。 ABC （．右移，．左移，．不变） PI 8. 800mW500mA,30V 已知某三极管的＝，＝，＝。若该管子在电路中工 CMCM VIVI 10V80mA1V500mA 作电压＝，则工作电流不应超过；若＝，则不应超过。 CECCEC IVIV 10mA30V200mA 若管子的工作电流＝，则工作电压不应超过；若＝，则不应 CCECCE 4V 超过。 9. NPC 沟道和沟道场效应管的区别在于。 ABNPC （．衬底材料前者为硅，后者为锗，．衬底材料前者型，后者为型，．导 电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴） 10. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型 场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。 11 ． 结型场效应管的栅源之间通常加反向偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场 SO 效应管的栅源之间有一层绝缘层，因此栅极静态电流几乎等于零。 i2 12. 12aN 图选择题中，（）电路中场效应管的类型是沟道增强型绝缘栅场效应管， VV bN 的极性为正；（）电路中场效应管的类型是沟道结型场效应管，的极性为正； DDDD V cP （）电路中场效应管的类型是沟道耗尽型绝缘栅场效应管，的极性为负。 DD