硅烷法多晶硅制备技术

- 硅烷法多晶硅生产工艺的优势 - 耗电低。硅烷的分解温度为800℃，而主流的三氯氢硅法反应温度在1150℃左右,故还原电耗较低。硅烷容易分解，材料利用率高。污染小。与多晶硅制备