在ZnO_Si衬底上ZnCdSe_ZnSe多量子阱的生长与光学特性

在ZnO_Si衬底上ZnCdSe_ZnSe多量子阱的生长与光学特性在 ZnO/ Si 衬底上 ZnCdSe/ Zn Se 多量子阱的 生长与光学特性1 ,2 1 1 1 1 王晓华 , 范希武, 单崇

在ZnO_Si衬底上ZnCdSe_ZnSe多量子阱的生长与光学特性 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的 生长与光学特性 1,21111王晓华,范希武,单崇新,张振中,刘益春 1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院激发态物理重点实 验室,吉林长春1300332长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉 林长春130022 ()()摘要在经NH等离子体氮化的Si100衬底上,用等离子体增强化学 气相淀积PECVD的方法生长了ZnO缓冲3 ()()层,经X射线衍射XRD测量,得到了单一取向的ZnO0002膜。在 此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相 ()淀积LP2MOCVD方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同 阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中 可见,在520nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生 ()长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光PL谱未见发 光。可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe 量子阱质量较好,是一种在Si衬底上生长?2?族化合物半导体材料的有效方法 。 关键词薄膜物理学;Si衬底;ZnCdSe/ZnSe量子阱;低压金属有机化学 气相淀积 +中图分类号O472.3;TN3041055文献标识码A GrowthandOpticalCharacteristicofZnCdSe/ZnSeMult i2quantumWells