选择性原子层沉积HfO2Al2O3和ZnOAl2O3薄膜及其表征综述报告

选择性原子层沉积HfO2Al2O3和ZnOAl2O3薄膜及其表征综述报告选择性原子层沉积（ALD）是一种用于制备薄膜的先进技术。该技术具有高精度、低表面粗糙度和良好的厚度控制等优点，因此在微电子、太阳