电介质刻蚀面临材料和工艺的选择（DOC 10页）

电介质刻蚀面临材料和工艺的选择半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。

电介质刻蚀面临材料和工艺的选择 半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或 者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转 移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。但是，各 种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都 会使实际过程困难得多。 公司电介质刻蚀部总经理说： AppliedMaterialsBrianShieh 前段（）和后段（）电介质刻蚀的要求各不相同，因此 “FEOLBEOL 要求反应器基本功能具有很大的弹性，对于不同的要求都能够表现出 很好的性能。 ” 公司新技术部总监说：从目 DowChemicalMichaelMills“ 前和近期的发展来看，电介质刻蚀设备还不会出现很大问题。 ” 目前的研究重点是双嵌入式工艺、低材料和高纵宽比接触孔 “k 的刻蚀。公司高级工艺经理 "HitachiHighTechnologiesAmerica 说：氧化硅刻蚀要求能够精确控制各向异性刻蚀 JasonGhormley“