沉淀法合成一维氧化锌锰纳米材料

沉淀法合成一维氧化锌锰纳米材料摘要空穴导电的Mn 掺杂ZnO 纳米晶具有强烈的铁磁性并且居里温度Tc 大于350K，同时，锰离子替代锌离子使ZnO 的禁带宽度变宽，也使ZnO 材料对光的吸收发生了改变