半导体材料研究的新进展的论文

半导体材料研究的新进展的论文 摘要 本文重点对半导体硅材料，gaas和inp单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，

半导体材料研究的新进展的论文 gaasinp 摘要本文重点对半导体硅材料，和单晶材料，半导体超 晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料， 宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前 达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后，提 出了发展我国半导体材料的建议。 关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体 1 半导体材料的战略地位 上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制 70 成功，导致了电子工业革命；上世纪年代初石英光导纤维材 gaas 料和激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成 了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及 其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的 “”“ 设计思想，使半导体器件的设计与制造从杂质工程发展到能带工 ” 程。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳 米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将 深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻 底改变人们的生活方式。 2 几种主要半导体材料的发展现状与趋势 2.1 硅材料 czsi 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（－）单 czsi. 晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后－发展的总趋势。目前 8200mmsi 直径为英寸（）的单晶已实现大规模工业生产，基于直 12300mmic‘s 径为英寸（）硅片的集成电路（）技术正处在由实验 300mm0.18μmulsi 室向工业生产转变中。目前，工艺的硅生产线 300mm0.13μm2003 已经投入生产，，工艺生产线也将在年完成评 1841418 估。英寸重达公斤的硅单晶和英寸的硅园片已在实验室 27 研制成功，直径英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。 ic‘s 从进一步提高硅的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微 米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。