纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究的开题报告

纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究的开题报告题目：纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究背景与意义：随着集成电路技术和纳米电子学的快速发展，CMOS器件已成为当前最为重要和广泛应用的芯