湍流型CVD反应器中生长晶体Si的数值模拟研究与探索的开题报告

湍流型CVD反应器中生长晶体Si的数值模拟研究与探索的开题报告选题背景和意义：半导体材料是现代电子技术和信息技术的重要基础材料。人们一直希望在半导体材料上实现更加复杂的器件集成，更高的工作频率和更小的