离子束溅射生长高均匀尺寸GeSi量子点的研究
离子束溅射生长高均匀尺寸GeSi量子点的研究随着纳米科技的发展,研究微小尺寸的材料和结构已经成为了现代材料科学的热门话题之一。其中,量子点是一类非常有潜力的新型材料,其尺寸通常在1-10纳米之间,具有
离子束溅射生长高均匀尺寸GeSi量子点的研究