Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究摘要：本文采用锶和锰离子(Mn)分别掺杂氮化镓(GaN)晶体，制备了Mn掺杂的GaN基稀磁半导体材料，并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、