NMOS大气中子辐射效应仿真研究

NMOS大气中子辐射效应仿真研究随着半导体技术的发展，尤其是CMOS技术的广泛应用，大气中子辐射效应已成为芯片可靠性的一大难题。NMOS器件在大气中遭受的中子辐射会引起位移损伤（DID）和反半导体化（