基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究摘要：目前，半导体材料的辐射特性研究成为研究热点，尤其是牛顿级别的β辐射对半导体器件的损伤和稳定性影响显著。本文基于蒙特卡罗方法，对GaN、SiC