实际晶体中的位错

- 3.2.4 实际晶体中的位错 - 实际上晶体中的位错决定于晶体结构及能量条件两个因素。在此特别讨论面心立方晶体中的位错。 - (1)实

位错论文

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位错的运动1011

- 第三节 位错受力及其运动 - - 一、作用在位错上的力1. 虚功原理：外力对晶体滑移所做的功等于位错线受“力”移动所做的功。2. 关于“力”的说明：这

第六章 空位与位错

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第三章位错强化机ppt课件

- 目录 - 第一节 金属单晶体变形的一般特点第二节 位错增值机制第三节 位错强化的数学表达式第四节 应变速率与位错运动速率之间关系第五节 应变强化的应用及特点第六节 孪生的位错

位错强化

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晶体中的位错

- 独立滑移系 - 每一点的应变可用六个分量表示，但塑性形变保持体积不变，即11+22+33=0，故只有五个应变分量是独立的。，若有五个独立的滑移系开动的

位错的增值与塞积

- 1.10 位错的增殖与塞积 - - - 位错的滑移 - 塑性变形位错：增殖、塞积、交割

有限元模拟位错问题的等效体力方法的开题报告

有限元模拟位错问题的等效体力方法的开题报告一、研究背景位错是晶体中嵌入于网格点间的半径约为1奥的线状缺陷。在晶体中位错是非常常见的，并经常以非常特定的方式排列组合来产生各种晶格缺陷。这些位错和晶格缺陷

晶体缺陷-位错运动

- - 2.柏氏矢量的特性：（1）b的物理意义： 其方向表示位错的性质和取向，即位错运动导致晶体滑移的方向 模∣b∣表示畸变的程度：位错强度 -

位错及界面部分第二次习题答案

1、面心立方晶体中，把2个b都为[110]a/2且平行的同号螺位错从100nm推近到8nm作功多少?已知a=0.3nm，G=7×1010Pa。解：两个同号螺位错（单位长度）间的作用力F 与它们之间的距

西南交大晶体位错

位错理论与应用试题：解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能（20分）简述兰克—瑞德位错增值机制及位错的分类？（10分）位错的表征及观察方法有哪些？（10分）综述层错能和晶体结构对金属塑性变形机理的