半导体物理学ppt刘恩科

- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社

半导体物理学

Metal-Semiconductor junctions卢朓tlu@math.pku.edu.cn北京大学数学科学学院homepage: dsec.pku.edu.cn/~tlublog: http

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学题库

填空题能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数,内部势场)半导体导带中的电子浓度取决于导带的___

半导体物理学教学大纲

半导体物理Semiconductor Physics 课程编号：042435课程性质：学科基础课适用专业：微电子学专业先修课程：固体物理，量子力学，统计物理后续课程：集成电路总学分： 4

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学第7版第三章习题和答案资料

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学前言

- 半导体物理学 - 李斌斌 - 教材 - 《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 建议120学时，现有36学时

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半导体物理学博士研究生入学考试大纲

《半导体物理学》博士研究生入学考试大纲一、将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入认识半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，从而认识主要半导体资料的能带结构。包含晶体

《半导体物理学》课件

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半导体物理学课后习题第五章第六章答案

第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为