腾讯文库搜索-半导体制造工艺流程简介
精选半导体制造工艺08扩散下
- 如何判断对费克定律应用何种解析解?当表面浓度为固溶度时,意味着该分布是余误差分布当表面浓度较低时,意味着该分布是经过长时间的推进过程,是高斯分布。 - 费克定律解析解的应用
半导体设备工艺简介
- - 中軿辱院辔导研完渐中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介2014-3-3 - - 中軿辱院辔导研完渐Institu
半导体制造工艺_03硅的氧化
- 第三章 硅的 氧化 - 绪论SiO2的结构和性质SiO2的掩蔽作用硅的热氧化生长动力学决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素热氧化过程中的杂质再分布初始氧化阶段以及薄
半导体工艺整理
《半导体工艺》三.热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应,在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。这种方法的优点是:基片本身不参与形成氧化膜的反应,而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing
半导体工艺及芯片制造技术问题答案
常用术语翻译active region 有源区2.active component 有源器件3.Anneal 退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积
半导体制造技术
《半导体制造技术》-(美)Michael Ciuik Julian Serda著 韩郑生等译 电子工业出版社《微电子制造科学原理与工
第02章半导体制造工艺
- 第二章半导体制造工艺 - 硅制造光刻技术氧化物生长和去除扩散和离子注入硅淀积和刻蚀金属化组装 - 提纲 -
精选半导体制造工艺03硅的氧化
- 二氧化硅是上帝赐给IC的材料。 - Introduction - 硅易氧化几个原子层厚,1nm左右氧化膜化学性质稳定,绝缘性好 SiO2的存在
半导体制造手册-CHAPTER3半导体硅基片制造
CHAPTER 3 半导体硅衬底制造3.1 简 介 以硅技术为基础的半导体电子产品以指数增长是众所周知的。使得这些技术非凡进展并按摩尔定律发展的一个根本的因素是由于硅独有特性。在本文中将介绍
半导体制造手册-CHAPTER3半导体硅基片制造
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半导体制造技术期末题库参考 答案
1. 分别简述 RVD 和 GILD 的原理, 它们的优缺点及应用方向。答:快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping)是一种掺杂剂从气相直接向硅中扩散、并能形成超浅结的