半导体物理习题课

3.1 在硅中，导带极小值附近的电子能量可以写成:E(k) = E C +22 2 k x + k y k z2+( )2m1 m 2式中m2>m1(1)分别画出能量E随着kx和kz变化的示意图;(

半导体物理课后习题

- 《半导体物理学》试题及参考答案 - 中南大学物电学院 代国章 - - - 第一章 半导体中

半导体物理习题

- 例一：某一维晶体的电子能带为：E(k)=E0[1-0.1cos(ka)-0.3sin(ka)]，其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：1）能带宽度；2）能带底和能带顶的有效质量。

半导体物理习题

- 例一：某一维晶体的电子能带为：E(k)=E0[1-0.1cos(ka)-0.3sin(ka)]，其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：1）能带宽度；2）能带底和能带顶的有效质量。

半导体物理习题答案资料

第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：

半导体物理习题一

半导体物理习题姓名 学号 习题请直接做在此页面上，完成后发往：luming.sjtu42@gmail.com习题一2011年9月21日1

第2章半导体物理基础

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半导体物理习题及答案

复习思考题及自测题原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参及共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核及电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形

半导体物理第2章习题

半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

半导体物理习题

半导体物理习题第一章1．试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允

半导体物理知识归纳和习题讲解

半导体物理 绪 论一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ < 此外，半导体还有以下重要

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率