半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学第七版电子工业出版社刘恩科等编著

- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案比较完全

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别

半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第1章习题解资料

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z HYPERLINK \l "_Toc290009128" 1．设晶格常数为a的一维晶格，导

半导体物理学[刘恩科第七版]课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z HYPERLINK \l "_Toc290009128" 1．设晶格常数为a的一维晶格，导

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第4章习题解

第四章习题及答案300K时,Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/ ( V. S)和1900cm2/( V. S)o 试求Ge的载流子浓度。解：在本征1■青况下，〃 =

半导体物理学第七版刘恩科编著第七章习题

- 第七章 金属和半导体的接触 - - 1 什么是功函数？哪些因素影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ - 功函数是指

半导体物理学(第七版)电子工业出版社刘恩科等编着

- 半导体物理学 - <#> - 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学期末复习试题及答案一精编

半导体物理学期末复习试题及答案一与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供（

半导体物理学练习题(刘恩科)

第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：