半导体物理学半导体中杂质和缺陷能级

- 本征半导体：是指没有杂质和缺陷的半导体，其内部的电子和空穴成对出现，叫做本征半导体。非正征半导体：半导体材料内部由于杂质或缺陷，使得电子或空穴任意一方增加，这样的半导体叫做掺杂半导体。本征激发:

半导体物理学复习提纲(重点)

第一章 半导体中的电子状态§1.1 锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征§1.2 半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；本征激发的概念

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半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级

- 主要内容：杂质分类；施主杂质、受主杂质；施主能级、受主能级；浅能级杂质、类氢模型估算浅能级杂质电离能、估算浅能级杂质的弱束缚载流子基态轨道半径；杂质的补偿；深能级杂质；等电子陷阱、等电子杂质、杂质

半导体物理学的发展现状及应用探析更新资料

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半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级公开课获奖课件百校联赛一等奖课件

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半导体物理学知识重点总结(精)

半導體物理知識點總結附重要名詞解釋是节余硅离子。霍尔效应将通有x方向电流的晶体置于z方向的磁场中，则在洛仑磁力作用下在y方向会产生附加电场，这种现象被称为霍尔效应。霍尔角在磁场作用下，半导体中的电流可

半导体物理学公开课百校联赛一等奖课件省赛课获奖课件

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第3章--非热平衡状态下的半导体-《半导体物理学简明教程》ppt课件

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半导体物理学题库(word文档)

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半导体物理学(乙)B卷真题2023年

2023 年硕士学位争论生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B 卷一、解释以下名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8