半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第六章习题及答案

第六章答案

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第六章习题及答案

第六章答案

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案比较完全

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学(第七版)电子工业出版社刘恩科等编着

- 半导体物理学 - <#> - 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：

半导体物理学简答题及答案

半导体物理学简答题及答案 复习思考题与自测题 第一章 1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答：

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别

半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第1章习题解资料

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z HYPERLINK \l "_Toc290009128" 1．设晶格常数为a的一维晶格，导

半导体物理学[刘恩科第七版]课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z HYPERLINK \l "_Toc290009128" 1．设晶格常数为a的一维晶格，导

半导体物理学练习题(刘恩科)

第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为： 

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第4章习题解

第四章习题及答案300K时,Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/ ( V. S)和1900cm2/( V. S)o 试求Ge的载流子浓度。解：在本征1■青况下，〃 =