半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案

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半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学第七版电子工业出版社刘恩科等编着

- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第七版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社 樊昌

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第4章习题解

第四章习题及答案300K时,Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/ ( V. S)和1900cm2/( V. S)o 试求Ge的载流子浓度。解：在本征1■青况下，〃 =

半导体物理学第七版刘恩科编著第七章习题

- 第七章 金属和半导体的接触 - - 1 什么是功函数？哪些因素影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ - 功函数是指

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题答案

第一章习题设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：Ec=h 2 k 2h 2 (k  k )21 , E) h 2 k 2

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第六章习题及答案

第六章答案

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第六章习题及答案

第六章答案

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

《半导体物理学(刘恩科)》第七版1-5章课后题答案

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度; 导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到

（最新）半导体物理学(刘恩科)第七版课后答案

第一章 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃

半导体物理学第七版电子工业出版社刘恩科等编著

- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社