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物理半导体物理学期末复习

- 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶,即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底(施主

电子行业-微电子学概论半导体物理学半导体及其基本特性 精品

- 半导体物理学 - - 半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体

半导体物理学第6章ppt课件

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半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解:2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。3. 当E-EF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1.设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为:h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

《固体物理与半导体物理学》

《固体物理与半导体物理学》教学大纲课程的教学目的和基本要求教学目的:通过本课程的学习,使学生掌握信息电子技术的晶体材料物理基础理论知识,以及光电子材料的主体——半导体晶体材料的各种电学、光学性质的物理

半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下,,由

刘诺半导体物理学第一章

- UESTC——Nuo Liu - *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 - * 重 点 之 二: Ge、Si和GaAs的能带结构

半导体物理学第二章-半导体中的杂质和缺陷

- 第二章 半导体中的杂质和缺陷 - 理想半导体:1、原子严格周期性排列,具有完整的晶格 结构。2、晶体中无杂质,无缺陷。3、电子在周期场中作共有化运动,形成

半导体物理学简答题及答案

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半导体物理学教学大纲

半导体物理Semiconductor Physics 课程编号:042435课程性质:学科基础课适用专业:微电子学专业先修课程:固体物理,量子力学,统计物理后续课程:集成电路总学分: 4

白光LEDs和半导体物理学

- 大功率白光LEDs发光规律: - 此图为大功率白光LEDs功率与发光效率的关系,从图可以看出,发光效率并不是功率的单调减函数,当功率在0-0.11w的范围内,发光效率随着功率