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半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap2市公开课获奖课件省名师示范课获奖课件

- 第2章 半导体中杂质和缺陷能级Impurity and defect energy level in semiconductor - 刘 丹 -

半导体物理学 习题答案

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解：在本征情况下，,由

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学期末复习试题及答案三资料

一、选择题。电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体提供电子的杂质是（ B ）。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质在室温下，半导体Si中掺入浓度为

东大半导体物理学第七版公开课一等奖省优质课大赛获奖课件

- 半导体物理学 - 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Don

半导体物理学第七版刘恩科编著chap1省名师优质课赛课获奖课件市赛课一等奖课件

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半导体物理学简答题及答案

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半导体物理学课后习题第五章第六章答案

第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为

半导体物理学前言

- 半导体物理学 - 李斌斌 - 教材 - 《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 建议120学时，现有36学时

半导体物理学简答题及答案

复习思考题与自测题第一章1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下