半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案比较完全

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学第七版电子工业出版社刘恩科等编著

- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别

半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第1章习题解资料

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半导体物理学[刘恩科第七版]课后习题解第1章习题解

半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MT extra) TOC \o "1-3" \h \z HYPERLINK \l "_Toc290009128" 1．设晶格常数为a的一维晶格，导

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第4章习题解

第四章习题及答案300K时,Ge的本征电阻率为47Qcm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/ ( V. S)和1900cm2/( V. S)o 试求Ge的载流子浓度。解：在本征1■青况下，〃 =

半导体物理学第七版刘恩科编著第七章习题

- 第七章 金属和半导体的接触 - - 1 什么是功函数？哪些因素影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ - 功函数是指

半导体物理学(第七版)电子工业出版社刘恩科等编着

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（最新）半导体物理学(刘恩科第七版)前五章课后习题解答(1)

半导体物理学(((刘恩科第七版)))前五章课后习题解答第一章习题1． 设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：Ec=h 2 k 23m0h

半导体物理学刘恩科

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半导体物理学(刘恩科第七版)前五章课后习题解答(1)[优质文档]

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