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半导体物理学教学大纲
半导体物理Semiconductor Physics 课程编号:042435课程性质:学科基础课适用专业:微电子学专业先修课程:固体物理,量子力学,统计物理后续课程:集成电路总学分: 4
最新固体物理学和半导体物理学
固体物理学第一章1.晶体结构=晶格+基元2.原胞和晶胞的区别:原胞只需要考虑周期性;晶胞要考虑周期性和对称性。3.对于简单格子,有三种结构:简立方、体心立方和面心立方。4.X光晶体衍射实验,测量晶体结
半导体物理学题库
填空题能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。〔二阶导数,内部势场〕半导体导带中的电子浓度取决于导带的___
半导体物理学题库
一、选择题1、下列截图中哪项是硅的能带图A B C D2、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为A. 变化量 B.常数 C. 受主杂质浓度 D. 施主杂质浓度3、公式 q /
半导体物理学讲义转
半导体物理学讲义转第一章半导体中的电子状态本章介绍:本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时
半导体物理学第二章
- - 半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体异质结
半导体物理学第四章答案
第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下,,由
刘诺半导体物理学第一章
- UESTC——Nuo Liu - *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 - * 重 点 之 二: Ge、Si和GaAs的能带结构
半导体物理学博士研究生入学考试大纲
《半导体物理学》博士研究生入学考试大纲一、将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中,以深入认识半导体中的电子状态;明确回旋共振实验的目的、意义和原理,从而认识主要半导体资料的能带结构。包含晶体
半导体物理学名词解释
半导体物理学名词解释1、直接复合:电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。2、间接复合:指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。3、俄歇复合:载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时,
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、 选择题 1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、 选择题 1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )