半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)　　一、 选择题　　1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )

半导体物理学期末总复习课堂PPT

- - 半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体的光学性质和光电与发光现象

半导体物理学刘恩科第七版习题答案比较完全资料

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解：在本征情况下，,由

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学简答题及答案

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半导体物理学简答题及答案

复习思考题与自测题第一章1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下

半导体物理学简答题及答案

复习思考题与自测题第一章1. 原 子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 , 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答： 原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作

半导体物理学前言

- 半导体物理学 - 李斌斌 - 教材 - 《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 建议120学时，现有36学时

第一章半导体物理学绪论

- * - 半导体物理Semiconductor Physics主讲人：朱成军综合楼六楼 系主任办公室 49914631463 ndcjzhu@126.co

半导体物理学题库

资料一．填空题． 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的在于其反映了晶体材料的，引入有效质量的意义的作用。 （二阶导数，内部势场）． 半导体导带中的电子浓度取决于导带的 （即量子态按能量如何分