《半导体物理学》期末考试试卷(A卷)-往届

2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人注意事项：1、教师出题时请勿超出

刘诺半导体物理学第一章

- UESTC——Nuo Liu - *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 - * 重 点 之 二: Ge、Si和GaAs的能带结构

半导体物理学课程教学大纲

半导体物理学课程教学大纲一、课程名称：半导体物理学二、课程性质：专业核心课三、预修课程：物理学、固体物理学、电子学、基础数学等相关课程四、学时安排：64学时，4学分。其中，理论课程48学时，实验课程1

半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案

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6半导体物理学期末复习省名师优质课赛课获奖课件市赛课一等奖课件

- 半导体物理学 - 期末复习 - 张晋敏 - 基本概念 - 有效质量：载流子在晶体中旳表观质量，它体现

半导体物理学题库

填空题能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数，内部势场）半导体导带中的电子浓度取决于导带的___

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

《半导体物理学》期末考试试卷参考答案(A卷)-往届

2010–2011学年第一学期期末考试参考答案（A卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人注意事项：1、教师出题时请勿

半导体物理学课程教学大纲

《半导体物理学》课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称：《半导体物理学》 所属专业：物理学（电子材料和器件工程方向） 课程性质：专业课 学 分：4学分（二）课程简介

半导体物理学第7版第三章习题和答案资料

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学复习提纲(重点)

第一章 半导体中的电子状态§1.1 锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征§1.2 半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；本征激发的概念